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歡迎來到北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所
分析鑒定 / 研發(fā)檢測(cè) -- 綜合性科研服務(wù)機(jī)構(gòu),助力企業(yè)研發(fā),提高產(chǎn)品質(zhì)量 -- 400-635-0567

中析研究所檢測(cè)中心

400-635-0567

中科光析科學(xué)技術(shù)研究所

公司地址:

北京市豐臺(tái)區(qū)航豐路8號(hào)院1號(hào)樓1層121[可寄樣]

投訴建議:

010-82491398

報(bào)告問題解答:

010-8646-0567

檢測(cè)領(lǐng)域:

成分分析,配方還原,食品檢測(cè),藥品檢測(cè),化妝品檢測(cè),環(huán)境檢測(cè),性能檢測(cè),耐熱性檢測(cè),安全性能檢測(cè),水質(zhì)檢測(cè),氣體檢測(cè),工業(yè)問題診斷,未知成分分析,塑料檢測(cè),橡膠檢測(cè),金屬元素檢測(cè),礦石檢測(cè),有毒有害檢測(cè),土壤檢測(cè),msds報(bào)告編寫等。

多晶硅檢測(cè),多晶硅成分分析,多晶硅檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn),多晶硅檢測(cè)機(jī)構(gòu)

發(fā)布時(shí)間:2024-01-08

關(guān)鍵詞:多晶硅檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),多晶硅成分分析,多晶硅檢測(cè)機(jī)構(gòu)

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來源:北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所

文章簡(jiǎn)介:

中析研究所成分分析檢測(cè)機(jī)構(gòu)可提供多晶硅檢測(cè)服務(wù)。檢測(cè)范圍包括多晶硅、太陽能電池多晶硅、多晶硅片等。檢測(cè)項(xiàng)目包括成分分析、性能檢測(cè)、質(zhì)量檢測(cè)等。
點(diǎn)擊咨詢

因業(yè)務(wù)調(diào)整,部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托,望見諒。

  中析研究所成分分析檢測(cè)機(jī)構(gòu)可提供多晶硅檢測(cè)服務(wù)。檢測(cè)范圍包括多晶硅、太陽能電池多晶硅、多晶硅片等。檢測(cè)項(xiàng)目包括成分分析、性能檢測(cè)、質(zhì)量檢測(cè)等。中析研究所出具的檢測(cè)報(bào)告支持掃碼查詢真?zhèn)?,?bào)告。

  多晶硅檢測(cè)范圍:多晶硅、太陽能電池多晶硅、多晶硅片、多晶硅太陽能板、多晶硅光伏組件、光伏多晶硅、多晶硅料、強(qiáng)大多晶硅片、多晶硅制品、低溫多晶硅等。

  多晶硅檢測(cè)項(xiàng)目成分分析、成分檢測(cè)、成分鑒定、性能檢測(cè)、質(zhì)量檢測(cè)、電阻率檢測(cè)、腐蝕檢測(cè)、老化檢測(cè)等。

  多晶硅檢測(cè)周期:樣品測(cè)試周期一般為10個(gè)工作日。

  多晶硅檢測(cè)費(fèi)用:工程師根據(jù)檢測(cè)項(xiàng)目進(jìn)行報(bào)價(jià)。

  多晶硅成分分析流程

  1、寄樣(或上門取樣)

  2、初檢樣品

  3、根據(jù)實(shí)驗(yàn)復(fù)雜程度進(jìn)行報(bào)價(jià)。

  4、雙方確定,簽訂保密協(xié)議,開始實(shí)驗(yàn)

  5、完成實(shí)驗(yàn)

  6、郵寄檢測(cè)報(bào)告,提供后期服務(wù)。

  中析研究所檢測(cè)有哪些優(yōu)勢(shì)?

  1、中析研究所檢測(cè)周期短、費(fèi)用低、檢測(cè)數(shù)據(jù)科學(xué)準(zhǔn)確。

  2、檢測(cè)報(bào)告。(支持掃碼查詢真?zhèn)危瑘?bào)告)

  3、支持上門取樣,寄樣檢測(cè)。

  4、初檢小樣

  5、提供完善的售后服務(wù)。

  多晶硅檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

  GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法

  GB/T 1553-1997 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定

  GB/T 1555-1997 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

  GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量測(cè)定

  GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量測(cè)定

  GB/T 14144-1993 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法

  GB/T 12962-2005 硅單晶

  GB/T 12963-1996 硅多晶

  GB/T 4059-1983 硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法

  GB/T 4060-1983 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

  GB/T 4061-1983 硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法

  GB/T 13389-1992 摻硼磣磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度

  多晶硅介紹

  多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如,在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面,遠(yuǎn)不如單晶硅明顯;在電學(xué)性質(zhì)方面,多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著,甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面,兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正的鑒別須通過分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。

  以上部分就是關(guān)于多晶硅檢測(cè)的內(nèi)容,關(guān)于其他多晶硅檢測(cè)問題,您也可以咨詢?cè)诰€工程師幫您解決!中析研究所是的檢測(cè)機(jī)構(gòu),值得您的信賴!我們竭誠(chéng)歡迎您前來洽談合作!

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