因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

開通時間測量：測量器件從關(guān)斷狀態(tài)切換到開通狀態(tài)的時間延遲。具體檢測參數(shù)包括時間范圍0.1納秒至100微秒，測量精度±1%。

關(guān)斷時間測量：測量器件從開通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)的時間延遲。具體檢測參數(shù)包括時間范圍0.1納秒至100微秒，測量精度±1%。

上升時間測量：測量電壓或電流信號從10%上升到90%所需時間。具體檢測參數(shù)包括時間范圍1納秒至10微秒。

下降時間測量：測量電壓或電流信號從90%下降到10%所需時間。具體檢測參數(shù)包括時間范圍1納秒至10微秒。

開通能量損耗計算：基于電壓和電流波形積分，計算開通過程中的能量損失。具體檢測參數(shù)包括能量范圍0.1微焦至100毫焦。

關(guān)斷能量損耗計算：基于電壓和電流波形積分，計算關(guān)斷過程中的能量損失。具體檢測參數(shù)包括能量范圍0.1微焦至100毫焦。

反向恢復(fù)時間測量：對于二極管類器件，測量反向恢復(fù)時間。具體檢測參數(shù)包括時間范圍1納秒至1微秒。

柵極電荷測量：測量柵極充電所需的電荷量。具體檢測參數(shù)包括電荷范圍1納庫侖至100微庫侖。

飽和電壓測量：測量器件在開通狀態(tài)下的電壓降。具體檢測參數(shù)包括電壓范圍0.1伏至100伏。

漏電流測量：測量器件在關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流。具體檢測參數(shù)包括電流范圍1皮安至1毫安。

檢測范圍

IGBT器件：絕緣柵雙極晶體管，用于高功率開關(guān)應(yīng)用。

MOSFET器件：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，適用于高頻開關(guān)。

碳化硅功率器件：基于碳化硅材料的開關(guān)器件，支持高溫高頻操作。

氮化鎵功率器件：基于氮化鎵材料的開關(guān)器件，具有高效率和高頻特性。

功率二極管：如肖特基二極管，用于整流和開關(guān)電路。

晶閘管：用于交流功率控制和大電流開關(guān)。

電源模塊：集成多個開關(guān)器件的功率模塊。

逆變器系統(tǒng)：用于將直流轉(zhuǎn)換為交流的系統(tǒng)中開關(guān)器件。

電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)：電機控制器中的功率開關(guān)組件。

工業(yè)電機控制：變頻器和驅(qū)動器中的開關(guān)器件。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60747-9：半導(dǎo)體器件-分立器件-第9部分：絕緣柵雙極晶體管測試方法。

ISO 16750-2：道路車輛-電氣和電子設(shè)備的環(huán)境條件和測試-第2部分：電氣負(fù)載。

GB/T 15513-2008：半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管測試方法。

JEDEC JESD24：功率MOSFET的電氣特性測試標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T 15291-1994：半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范。

檢測儀器

高速示波器：高帶寬示波器用于捕獲快速變化的電壓和電流波形，測量開關(guān)時間和波形參數(shù)。

電流探頭：高頻電流探頭與示波器配合，準(zhǔn)確測量電流信號，用于損耗計算。

電壓探頭：高電壓差分探頭用于測量電壓信號，確保隔離和精度。

雙脈沖測試系統(tǒng)：生成雙脈沖信號以激勵開關(guān)器件，模擬實際開關(guān)條件，測量開關(guān)損耗。

功率分析儀：測量功率、能量和效率，直接計算開關(guān)過程中的能量損失。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進(jìn)行樣品檢測

6、檢測出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認(rèn)信息是否無誤

7、確認(rèn)完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件