因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

平均晶粒尺寸：計(jì)算材料中晶粒的平均直徑或面積，參數(shù)包括測(cè)量范圍0.1-100μm，精度±0.05μm。

晶粒尺寸標(biāo)準(zhǔn)差：評(píng)估晶粒尺寸分布的離散程度，參數(shù)為統(tǒng)計(jì)值范圍0.01-50μm。

晶粒尺寸分布直方圖：生成晶粒尺寸頻率分布圖表，參數(shù)包括bin寬度0.1-10μm可調(diào)。

晶粒面積測(cè)量：直接測(cè)量單個(gè)晶粒的投影面積，參數(shù)為面積范圍0.01-10000μm2。

晶粒周長(zhǎng)測(cè)量：計(jì)算晶粒邊界周長(zhǎng)，參數(shù)為周長(zhǎng)精度±0.1μm。

晶粒形狀因子：評(píng)估晶粒形狀圓整度，參數(shù)包括 aspect ratio 范圍1-10。

晶粒取向分布：分析晶粒晶體學(xué)取向，參數(shù)為角度測(cè)量精度±1°。

晶界檢測(cè)：識(shí)別和統(tǒng)計(jì)晶界類型與數(shù)量，參數(shù)為晶界寬度檢測(cè)限0.01μm。

晶粒數(shù)量統(tǒng)計(jì)：計(jì)數(shù)樣品中總晶粒數(shù)，參數(shù)為自動(dòng)計(jì)數(shù)誤差±1%。

晶粒尺寸百分位數(shù)：計(jì)算D10、D50、D90等分布百分位，參數(shù)為百分位值范圍0.1-100μm。

檢測(cè)范圍

金屬材料：包括鋁合金、鋼、銅合金等結(jié)構(gòu)金屬。

陶瓷材料：如氧化鋁、碳化硅等高性能陶瓷。

半導(dǎo)體材料：硅晶圓、化合物半導(dǎo)體器件。

聚合物復(fù)合材料：纖維增強(qiáng)塑料、納米復(fù)合材料。

納米材料：納米顆粒、納米線等低維材料。

地質(zhì)樣品：巖石、礦物微觀結(jié)構(gòu)分析。

生物材料：骨骼、牙齒等生物礦物化組織。

涂層材料：熱障涂層、防腐涂層表面處理。

粉末冶金產(chǎn)品：金屬粉末燒結(jié)制品。

電子器件：微電子封裝、互連材料微觀結(jié)構(gòu)。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ASTM E112：金屬平均晶粒尺寸測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)。

ISO 643：鋼的晶粒尺寸顯微測(cè)定方法。

GB/T 6394：金屬平均晶粒尺寸測(cè)定方法。

ASTM E1382：自動(dòng)圖像分析測(cè)定晶粒尺寸。

ISO 13383：精細(xì)陶瓷晶粒尺寸分布測(cè)定。

GB/T 13298：金屬顯微組織檢驗(yàn)方法。

ASTM E562：體視學(xué)方法測(cè)定體積分?jǐn)?shù)。

ISO 13067：微束分析電子背散射衍射取向測(cè)定。

GB/T 15749：定量金相測(cè)定方法。

ASTM E1245：自動(dòng)圖像分析測(cè)定夾雜物含量。

檢測(cè)儀器

掃描電子顯微鏡：提供高分辨率二次電子圖像，用于獲取晶粒形貌和尺寸數(shù)據(jù)。

透射電子顯微鏡：實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨率成像，用于精細(xì)晶粒結(jié)構(gòu)和取向分析。

圖像分析系統(tǒng)：自動(dòng)處理顯微圖像，功能包括晶粒尺寸測(cè)量和統(tǒng)計(jì)分布計(jì)算。

樣品制備設(shè)備：包括拋光機(jī)和蝕刻裝置，用于制備平坦、腐蝕的樣品表面。

能譜儀：進(jìn)行元素成分分析，輔助晶粒識(shí)別和相區(qū)分。

檢測(cè)流程

1、咨詢：提品資料(說(shuō)明書(shū)、規(guī)格書(shū)等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫(xiě)檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門(mén)取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫(xiě)報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件